市場技術 Samsung - PC Watch

【IEDM 2020レポート】Samsung、切手大のLiDARを実現するワンチップのスキャナを試作
(2021/1/12)
福田昭のセミコン業界最前線
Samsung/IBM/TSMC/GFがMRAM開発の最新成果を披露
(2020/12/26)
スタンフォード大、10,000ppiを実現するOLED製造技術
〜ソーラーパネルの技術を応用
(2020/10/26)
Samsung、業界初のスマホ向け16Gbit LPDDR5チップを量産。EUV 10nmプロセスで製造
(2020/9/1)
Samsung、業界初となるEUV 7nm/5nmの3D積層技術
(2020/8/14)

Samsung、人間の目を超える6億画素イメージセンサーを開発へ
(2020/4/22)
Samsungが1Gbitの大容量埋め込みMRAMを開発
～IEDM 2019 イベントレポート
(2019/12/19)
福田昭のセミコン業界最前線
東芝-WD連合の3D NAND、製品の量産にSamsungの技術を採用
(2019/12/12)
IEDM 2019、5nmのCMOSロジックやL4キャッシュMRAMなどに注目
(2019/12/11)
Samsung、スマホで12GBメモリを実現するLPDDR5を量産開始
(2019/7/19)
福田昭のセミコン業界最前線
3D NANDフラッシュの技術開発を先導し始めた東芝-WD連合
(2019/3/18)
福田昭のセミコン業界最前線
EUV露光による先端ロジックと先端DRAMの量産がついにはじまる
(2018/12/25)
福田昭のセミコン業界最前線
Samsung/GF/Intel/東北大学が明らかにしたMRAMの最新技術
(2018/12/17)
福田昭のセミコン業界最前線
微細化に頼らずに大容量化を進める次世代DRAM技術
(2018/12/6)
福田昭のセミコン業界最前線
近未来の社会を支える半導体チップが来年2月の「ISSCC 2019」に大集合
(2018/11/28)
Samsung、EUV 7nm LPPの開発が完了。ArF液浸露光から大幅コストダウン
(2018/10/18)
Samsung、10%低電力化した10nmクラス第2世代LPDDR4X DRAM
(2018/7/27)
Samsung、転送レート51.2GB/sの10nm級8Gb LPDDR5を開発
(2018/7/17)
Samsung、Toggle DDR 4.0採用で速度向上した第5世代V-NANDメモリ
(2018/7/10)
福田昭のセミコン業界最前線
完成に近づいた、SamsungのEUVリソグラフィ採用7nm半導体量産技術
(2018/6/29)
Samsung、感度を15%向上し色再現性も改善するCMOSセンサー技術「ISOCELL Plus」
～富士フイルムの新材料を採用
(2018/6/28)
最先端3D NANDフラッシュに隠されていた事実
～国際メモリワークショップ(IMW)2018レポート
(2018/5/15)
福田昭のセミコン業界最前線
3D NAND技術の開発競争で東芝-WD連合とSamsungが激突
(2018/2/26)
Samsung、業界初となる容量16GbのGDDR6
(2018/1/18)
Samsung、307GB/sの帯域を誇る第2世代8GB HBM2を量産開始
(2018/1/11)
福田昭のセミコン業界最前線
EUVを使わずに微細化の極限を目指す半導体製造技術
(2018/1/8)
SamsungとKDDI、5Gによる時速約100kmの列車内通信実験で1.7Gbpsを達成
～8Kビデオのダウンロードを実現
(2017/12/1)
Samsung、第2世代10nm FinFET SoCの量産を開始。来年初頭には採用製品が登場
(2017/11/29)
Samsung、5倍充電が速い“グラフェンボール”素材の新バッテリ開発
(2017/11/28)
Samsung、歩留まり良好な8nm FinFETの量産準備完了
(2017/10/20)
Samsung、ファウンダリ2番手を目指しプロセス開発を加速
～7nmからEUVを全面展開、2020年までには4nmも見据える
(2017/9/14)
Samsung、HBM2 8GBパッケージを増産。ハイエンド市場の需要拡大に対応
(2017/7/20)
Samsung、64層256Gb V-NANDフラッシュの量産を開始
～2017年下半期に搭載SSDなどを投入
(2017/6/19)
Samsung、EUVリソグラフィ採用の7nm FinFET技術を公表
(2017/6/8)
Samsung、第2世代10nm FinFETの生産準備が完了。10%性能向上、15%省電力化
(2017/4/21)
連載福田昭のセミコン業界最前線
IntelとSamsungが7nmロジック量産への適用を目指すEUV露光技術
(2017/3/17)
Samsung、10nm FinFETプロセスの生産は歩留まり良好で好調と報告
～6nm/8nmプロセスをロードマップに追加も
(2017/3/16)
Samsung、1つでVRもARも楽しめるヘッドセットなどをMWC 2017で展示
(2017/2/22)
連載福田昭のセミコン業界最前線
次世代モバイルを実現する7nmのSRAM技術をTSMCとSamsungが公表
(2017/2/16)
連載福田昭のセミコン業界最前線
STT-MRAMの「夢」を捨てたMicronとSamsungが見据える未来
(2016/12/6)
連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース
次世代モバイルSoCとGPUを支えるSamsungの10nmプロセス
(2016/12/5)
スマホもメモリ8GBの時代に。Samsungが新メモリ開発
(2016/10/20)
Samsung、10nm FinFETでのSoC量産を開始
～2017年初頭にも搭載デバイスが登場、下半期には第2世代プロセスの量産を予定
(2016/10/17)
連載福田昭のセミコン業界最前線
Intel-Micron連合の3D XPointメモリに対抗するSamsungの「Z-NAND」技術
(2016/9/6)
連載福田昭のセミコン業界最前線
記憶容量拡大の階段を急速に駆け上がる3D NANDフラッシュ
(2016/8/19)
Samsung、10nm級世代のDDR4を量産開始
～従来比で30%高速化、最大20%省電力に
(2016/4/5)
連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース
次世代メモリ「HBM2」の詳細が明らかに
(2016/3/4)
Samsung、容量256GB転送速度850MB/secのスマホ用超高速フラッシュ
～PC用SATAを超える速度を実現
(2016/2/26)
Samsung、帯域が2倍になった第2世代HBMの量産を開始
～ビデオカード向けの8GB HBM 2も年内生産
(2016/1/19)
PC用より2倍高速な12Gbit LPDDR4をSamsungが開発
(2015/9/9)