Samsung、EUV 7nm LPPの開発が完了。ArF液浸露光から大幅コストダウン

(2018/10/18)

Samsung、10%低電力化した10nmクラス第2世代LPDDR4X DRAM

(2018/7/27)

Samsung、転送レート51.2GB/sの10nm級8Gb LPDDR5を開発

(2018/7/17)

Samsung、Toggle DDR 4.0採用で速度向上した第5世代V-NANDメモリ

(2018/7/10)

Samsung、感度を15%向上し色再現性も改善するCMOSセンサー技術「ISOCELL Plus」

～富士フイルムの新材料を採用

(2018/6/28)

Samsung、307GB/sの帯域を誇る第2世代8GB HBM2を量産開始

(2018/1/11)

Samsung、第2世代10nm FinFET SoCの量産を開始。来年初頭には採用製品が登場

(2017/11/29)

Samsung、5倍充電が速い“グラフェンボール”素材の新バッテリ開発

(2017/11/28)

Samsung、歩留まり良好な8nm FinFETの量産準備完了

(2017/10/20)

Samsung、ファウンダリ2番手を目指しプロセス開発を加速

～7nmからEUVを全面展開、2020年までには4nmも見据える

(2017/9/14)

Samsung、HBM2 8GBパッケージを増産。ハイエンド市場の需要拡大に対応

(2017/7/20)

Samsung、64層256Gb V-NANDフラッシュの量産を開始

～2017年下半期に搭載SSDなどを投入

(2017/6/19)

Samsung、第2世代10nm FinFETの生産準備が完了。10%性能向上、15%省電力化

(2017/4/21)

Samsung、10nm FinFETプロセスの生産は歩留まり良好で好調と報告

～6nm/8nmプロセスをロードマップに追加も

(2017/3/16)

Samsung、1つでVRもARも楽しめるヘッドセットなどをMWC 2017で展示

(2017/2/22)

スマホもメモリ8GBの時代に。Samsungが新メモリ開発

(2016/10/20)

Samsung、10nm FinFETでのSoC量産を開始

～2017年初頭にも搭載デバイスが登場、下半期には第2世代プロセスの量産を予定

(2016/10/17)

Samsung、10nm級世代のDDR4を量産開始

～従来比で30%高速化、最大20%省電力に

(2016/4/5)

Samsung、容量256GB転送速度850MB/secのスマホ用超高速フラッシュ

～PC用SATAを超える速度を実現

(2016/2/26)

Samsung、帯域が2倍になった第2世代HBMの量産を開始

～ビデオカード向けの8GB HBM 2も年内生産

(2016/1/19)

PC用より2倍高速な12Gbit LPDDR4をSamsungが開発

(2015/9/9)

Samsung、DRAMとフラッシュ、コントローラを統合したePoPメモリを量産開始

～ハイエンドスマートフォン向け

(2015/2/4)

Samsung、業界初の8Gbit LPDDR4を量産開始

～4GBパッケージを2015年から提供

(2014/12/25)

Samsung、TSV技術を用いて3次元実装した初のDDR4

(2014/8/29)

Samsung、セルを3次元構造とした128Gbit NANDの量産を開始

(2013/8/7)

Samsung、840 EVO発表会で高速化機能などを解説

(2013/7/19)