Samsung、業界初を謳うLPDDR5X DRAMを開発。1.3倍高速化しつつ省電力化

(2021/11/11)

Samsung、皮膚に合わせて30%伸びるOLEDディスプレイ

(2021/6/8)

HKMG採用のDDR5 512GBメモリをSamsungが開発。業界初

(2021/3/25)

Samsung、ハイパースケールデータセンター向けSSDの量産開始

(2021/2/24)

スタンフォード大、10,000ppiを実現するOLED製造技術

〜ソーラーパネルの技術を応用

(2020/10/26)

Samsung、業界初のスマホ向け16Gbit LPDDR5チップを量産。EUV 10nmプロセスで製造

(2020/9/1)

Samsung、業界初となるEUV 7nm/5nmの3D積層技術

(2020/8/14)

Samsung、人間の目を超える6億画素イメージセンサーを開発へ

(2020/4/22)

Samsung、スマホで12GBメモリを実現するLPDDR5を量産開始

(2019/7/19)

Samsung、EUV 7nm LPPの開発が完了。ArF液浸露光から大幅コストダウン

(2018/10/18)

Samsung、10%低電力化した10nmクラス第2世代LPDDR4X DRAM

(2018/7/27)

Samsung、転送レート51.2GB/sの10nm級8Gb LPDDR5を開発

(2018/7/17)

Samsung、Toggle DDR 4.0採用で速度向上した第5世代V-NANDメモリ

(2018/7/10)

Samsung、感度を15%向上し色再現性も改善するCMOSセンサー技術「ISOCELL Plus」

～富士フイルムの新材料を採用

(2018/6/28)

Samsung、307GB/sの帯域を誇る第2世代8GB HBM2を量産開始

(2018/1/11)

Samsung、第2世代10nm FinFET SoCの量産を開始。来年初頭には採用製品が登場

(2017/11/29)

Samsung、5倍充電が速い“グラフェンボール”素材の新バッテリ開発

(2017/11/28)

Samsung、歩留まり良好な8nm FinFETの量産準備完了

(2017/10/20)

Samsung、ファウンダリ2番手を目指しプロセス開発を加速

～7nmからEUVを全面展開、2020年までには4nmも見据える

(2017/9/14)

Samsung、HBM2 8GBパッケージを増産。ハイエンド市場の需要拡大に対応

(2017/7/20)

Samsung、64層256Gb V-NANDフラッシュの量産を開始

～2017年下半期に搭載SSDなどを投入

(2017/6/19)

Samsung、第2世代10nm FinFETの生産準備が完了。10%性能向上、15%省電力化

(2017/4/21)

Samsung、10nm FinFETプロセスの生産は歩留まり良好で好調と報告

～6nm/8nmプロセスをロードマップに追加も

(2017/3/16)

Samsung、1つでVRもARも楽しめるヘッドセットなどをMWC 2017で展示

(2017/2/22)

スマホもメモリ8GBの時代に。Samsungが新メモリ開発

(2016/10/20)

Samsung、10nm FinFETでのSoC量産を開始

～2017年初頭にも搭載デバイスが登場、下半期には第2世代プロセスの量産を予定

(2016/10/17)