市場技術 Samsung - PC Watch

Samsung、EUVリソグラフィ採用の7nm FinFET技術を公表
(2017/6/8)
Samsung、第2世代10nm FinFETの生産準備が完了。10%性能向上、15%省電力化
(2017/4/21)
連載福田昭のセミコン業界最前線
IntelとSamsungが7nmロジック量産への適用を目指すEUV露光技術
(2017/3/17)
Samsung、10nm FinFETプロセスの生産は歩留まり良好で好調と報告
～6nm/8nmプロセスをロードマップに追加も
(2017/3/16)
Samsung、1つでVRもARも楽しめるヘッドセットなどをMWC 2017で展示
(2017/2/22)

連載福田昭のセミコン業界最前線
次世代モバイルを実現する7nmのSRAM技術をTSMCとSamsungが公表
(2017/2/16)
連載福田昭のセミコン業界最前線
STT-MRAMの「夢」を捨てたMicronとSamsungが見据える未来
(2016/12/6)
連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース
次世代モバイルSoCとGPUを支えるSamsungの10nmプロセス
(2016/12/5)
スマホもメモリ8GBの時代に。Samsungが新メモリ開発
(2016/10/20)
Samsung、10nm FinFETでのSoC量産を開始
～2017年初頭にも搭載デバイスが登場、下半期には第2世代プロセスの量産を予定
(2016/10/17)
連載福田昭のセミコン業界最前線
Intel-Micron連合の3D XPointメモリに対抗するSamsungの「Z-NAND」技術
(2016/9/6)
連載福田昭のセミコン業界最前線
記憶容量拡大の階段を急速に駆け上がる3D NANDフラッシュ
(2016/8/19)
Samsung、10nm級世代のDDR4を量産開始
～従来比で30%高速化、最大20%省電力に
(2016/4/5)
連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース
次世代メモリ「HBM2」の詳細が明らかに
(2016/3/4)
Samsung、容量256GB転送速度850MB/secのスマホ用超高速フラッシュ
～PC用SATAを超える速度を実現
(2016/2/26)
Samsung、帯域が2倍になった第2世代HBMの量産を開始
～ビデオカード向けの8GB HBM 2も年内生産
(2016/1/19)
PC用より2倍高速な12Gbit LPDDR4をSamsungが開発
(2015/9/9)
連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース
Samsungが256G-bitの3D NANDチップで16TBのSSDを実現
(2015/8/13)
連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース
20nmプロセスへと微細化しLPDDR4への移行が進むモバイルDRAM
(2015/7/3)
Samsung、DRAMとフラッシュ、コントローラを統合したePoPメモリを量産開始
～ハイエンドスマートフォン向け
(2015/2/4)
Samsung、業界初の8Gbit LPDDR4を量産開始
～4GBパッケージを2015年から提供
(2014/12/25)
連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース
IntelとTSMC/Samsungが3Dトランジスタで激突
(2014/9/3)
Samsung、TSV技術を用いて3次元実装した初のDDR4
(2014/8/29)
連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース
次世代GPUやSoCの行方を左右する3Dトランジスタレース
(2014/5/22)
SamsungとSK Hynixが初のモバイル向けLPDDR4を開発
(2014/1/4)
連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース
ワンチップ128GBのフラッシュメモリを実現する3D NAND技術
(2013/8/23)
連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース
Samsungが発表した「V-NAND」でフラッシュの時代が明ける
(2013/8/19)
3D NANDフラッシュ、華々しくデビュー
(2013/8/19)
【MemCon 2013レポート】
Samsungが考える次世代のメモリアーキテクチャ
(2013/8/12)
Samsung、セルを3次元構造とした128Gbit NANDの量産を開始
(2013/8/7)
Samsung、840 EVO発表会で高速化機能などを解説
(2013/7/19)