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Samsung、業界初となるEUV 7nm/5nmの3D積層技術
2020年8月14日 12:48
Samsung Electronicsは13日(韓国時間)、TSV(シリコン貫通ビア)を活用する3Dパッケージング技術「X-Cube(eXtended-Cube)」が即時利用可能となったと発表した。
今回EUV 7nmで作られたX-Cubeのテストチップでは、TSV技術でSRAMをロジックダイ上に堆積させており、より多くのメモリを小さなフットプリントで搭載可能とする。また、極薄パッケージデザインの3D実装により、ダイ間の信号経路をさらに短くでき、転送速度と電力効率を最大化可能。顧客の要望に応じて、メモリの帯域幅と密度を拡張することもできる。
X-Cubeは現在7nmと5nmでデザイン可能で、次世代の5GやAI、HPC(High-Porformance Computing)、モバイル、ウェアラブルデバイスなどに活用されていくとしている。
