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Samsung、第2世代10nm FinFETの生産準備が完了。10%性能向上、15%省電力化
2017年4月21日 13:13
Samsung Electronicsは19日(米国時間)、第2世代の10nm FinFET製造技術「10LPP(Low Power Plus)」の生産準備が整ったと発表した。
同社は昨年(2016年)の10月に第1世代の「10LPE(Lowe Power Early)」で製造されたSoCの量産を開始し、同SoCは3月下旬に発表されたスマートフォン「Galaxy S8」シリーズに搭載された。
今回の10LPPは、10LPEに対して10%の性能向上と15%の消費電力低下が見込めるとしており、競合他社に対して10nm世代半導体の優位性を確保する狙い。
Samsungは韓国の華城工場にて、10LPPの生産量を高めるための製造ラインを今年(2017年)の第4四半期に稼働させる予定としている。










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