Samsung、EUV 7nm LPPの開発が完了。ArF液浸露光から大幅コストダウン

EUV露光技術による生産が行なわれる韓国内のS3 Fab

　Samsung Electronicsは10月18日(韓国時間)、EUV(Extreme Ultra-Violet : 極端紫外線)露光を採用した7nm LPP(Low Power Plus)の製造技術の開発が完了し、同技術による半導体の生産を開始したと発表。さらに、3nmプロセスへのロードマップも確定させた。

　これまでのArF液浸露光の場合、193nmの波長しか利用できず、高価なマルチパターンのマスクセットが必要だった。EUV露光技術では13.5nmの波長を使用しており、1枚のマスクで1個のウェハレイヤーを作成することが可能。一方のArF液浸露光は同じレイヤーを作るのに4枚のマスクが必要になる。

　また、7nm LPP非使用のものと比較して、マスク数を約20%削減できるとしており、製造時間とコストの短縮につながるという。このほか、性能向上、低消費電力、省スペース利用にも寄与し、10nm FinFETと比較した場合に、最大で20%の性能向上、50%の省電力化、40%の面積効率向上がもたらされるとしている。

　Samsungは7nm LPPの製品化によって、5G、AI、エンタープライズ/ハイパースケールデータセンター、IoT、自動運転、ネットワークといった分野において、アプリケーションの境界を押し広げる新製品が作られていくだろうとしている。