Samsung、10nm FinFETプロセスの生産は歩留まり良好で好調と報告

FinFETの構造

　Samsung Electronicsは15日(米国時間)、半導体生産事業のアップデートを発表した。

　同社では、2016年10月の量産開始以来、第1世代の10nm LPE(Low-Power Early)プロセスシリコンウェハを既に7万枚出荷したと報告。高い歩留まりで、当初の予定通り顧客の需要をカバーできるとしている。

　加えて、第2世代の10nm LPPは2017年末、第3世代の10nm LPUについても2018年に量産を開始するほか、同社ロードマップに6nmおよび8nmプロセスを追加したと発表している。

　6nm/8nmプロセスを含む技術詳細や、ファウンドリ技術の最新ロードマップは、5月24日開催の「Samsung Foundry Forum」で明かされる見込み。