Samsung、10%低電力化した10nmクラス第2世代LPDDR4X DRAM

10nmクラスの第2世代LPDDR4X DRAM

　Samsung Electronicsは7月26日(韓国時間)、業界初とする10nmクラスのプロセスルールで製造された16bit第2世代LPDDR4X DRAMの量産開始を発表した。

　現在のフラグシップスマートフォンなどで採用されている10nmクラスのLPDDR4Xと比較した場合に、同じ4,266Mbpsの転送速度でも最大10%の消費電力低減を可能とし、今年(2018年)の後半から2019年初頭にかけてフラグシップ機への採用を狙う。

　同社はこの第2世代LPDDR4X DRAMを4/6/8GBのラインナップで提供。16Gbit LPDDR4X DRAMチップを4つにまとめた8GBのパッケージでは、データレートが34.1GB/sに達し、第1世代品と比べて20%の薄型化もなされている。

　今後プレミアムクラスDRAMのラインナップを拡大し、そのうちの70%以上は10nmクラスの第2世代DRAMをベースにしていく構え。