Samsung、Toggle DDR 4.0採用で速度向上した第5世代V-NANDメモリ

第5世代V-NANDフラッシュメモリ

　Samsung Electronicsは7月10日(韓国時間)、第5世代V-NANDフラッシュメモリの量産開始を発表した。業界初の「Toggle DDR 4.0」インターフェイスを採用しており、大幅な転送速度向上をうたう。

　Toggle DDR 4.0を採用する第5世代256bit V-NANDでは、メモリとストレージ間の転送速度が1.4Gbpsに達し、前世代の64層チップよりも40%の速度向上を実現。また、業界最大とする90層以上の3D CTF(Charge Trap Flash)セルをピラミッド構造で格納し、セル数は850億を超える。各セルは3bitのデータを保存可能。

　転送速度は上がっているものの、消費電力は前述の64層チップと同じで、稼働電圧を1.8Vから1.2Vへと下げたことで、消費電力増加を避けた。ライト速度も30%以上向上して500μsに、リードは50μs削減されている。

　第5世代V-NANDでは、原子層堆積技術によって生産効率が30%を上回ったほか、最先端技術によってセルごとの層の高さが20%削減され、セル間の混信防止が図られたことで、チップのデータ処理性能が向上している。

　同社は今後1TbitとQLC(Quad-Level Cell)で構成される次世代のV-NANDも提供予定。