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HKMG採用のDDR5 512GBメモリをSamsungが開発。業界初

  • 鈴木 悠斗

2021年3月25日 19:30

　Samsungは、業界初となるDDR5モジュールで512GB容量のメモリを開発したと発表した。

　DDR4メモリの速度の2倍以上である7,200Mbpsを実現し、スーパーコンピューティングやAIなどの分野での使用に好適としている。

　シリコン貫通電極(TSV)テクノロジにより、8層の16GbitのDRAMチップをスタックさせて512GB容量を実現。また、絶縁体にはHKMG(High-K Metal Gate)を採用。リーク電流を低減させたことで消費電力を低減させた。

　同社は2020年8月に16Gbit LPDDR5チップ搭載のDRAMの量産も開始している。

　DDR5メモリは2020年10月にSK Hynixが初めて発売しており、今後の産業界を中心とした活用が期待されている。

【お詫びと訂正】初出時に速度を7,200MB/sとしておりましたが、7,200Mbpsの誤りです。また、16GBのDRAMチップは、16GbitのDRAMチップの誤りです。お詫びして訂正させていただきます。