Samsung、業界初となる容量16GbのGDDR6

　韓国Samsung Electronicsは18日(現地時間)、業界初となる容量16GbのGDDR6メモリの量産を開始したと発表した。

　同社独自の10nmクラスプロセス技術を採用し、20nmのGDDR5の2倍になる16Gbという大容量を実現。また、1ピンあたりの転送速度は18Gbpsを実現し、チップ全体で72GB/sの転送速度を誇る。

　計算上、256bit幅のGPUで採用すれば576GB/s、384bit幅のGPUで採用すれば864GB/sという、HBM2を採用するTITAN V(652.8GB/s)をも上回る転送速度を達成する。

　また、GDDR5の製品と比較して容量も倍増することになる。駆動電圧もGDDR5の1.55Vから1.35Vに減っており、消費電力を35%削減可能としている。現在急成長を見せる8Kビデオのプロセッシング、VR、AR、AI分野に好適としている。

　Samsungは先日発表した2.4Gbps/容量8GBのHBM2と合わせて、今後数年プレミアムメモリ市場を加速するとしている。