Samsung、307GB/sの帯域を誇る第2世代8GB HBM2を量産開始

第2世代HBM2

　Samsung Electronicsは11日(韓国時間)、同社第2世代の8GB「HBM2」を、本日量産開始したことを発表した。

　第2世代のHBM2は「Aquabolt」と称する技術を採用し、1ピンあたり1.2V駆動で業界ではじめて2.4Gbpsの高速転送を可能にしたメモリ。第1世代の8GB HBM2では同電圧で1ピンあたり1.6Gbps、1.35Vで2Gbpsの性能となっていた。

　HBM2は8GBのシングルパッケージで307GB/sの帯域を備え、これは8GbitのGDDR5チップ(32bitバスの場合)よりも9.6倍高速。また、HBM2を4つ接続したパッケージでは、1.2TB/sの広帯域を実現可能。

　HBM2は8個の8Gbit HBM2ダイからなり、5,000を超えるTSV(Through Silicon Via)で接続されている。さらに、ダイ間のサーマルバンプ数を増やしたことで、それぞれのパッケージの熱制御がしやすくなったほか、底部に保護層を設けたことでパッケージ全体の物理的な強度も増しているという。