イベント Flash Memory Summit

福田昭のセミコン業界最前線
5年後に512TB SSDの実現に向けて突き進む3D NAND技術
(2018/8/23)
ひじょうに困難なフラッシュメモリからのデータ復旧
(2018/8/20)
Intel、初のQLC NAND採用により399ドルで容量2TBを実現する「Intel SSD 660P」
(2018/8/20)
中国初の3D NANDフラッシュ企業がFMSに初登場
(2018/8/13)
福田昭のセミコン業界最前線
Micronが浮遊ゲート技術の3D NANDフラッシュ開発から撤退へ
(2018/8/13)

SK Hynixも96層の超高層3D NANDフラッシュを年末に製品化へ
(2018/8/10)
東芝、1.33Tbit/ダイの超大容量3D NANDと超高速3D NANDを披露
(2018/8/10)
福田昭のセミコン業界最前線
3D NANDが128TBの超大容量SSDを実現へ
(2017/8/18)
ついに明らかになった3D XPointメモリの正体。外部企業がダイ内部を原子レベルで解析
～相変化メモリとオボニックスイッチで構成
(2017/8/15)
火災の影響でFlash Memory Summitの展示会は開催中止に、来場者に戸惑いが広がる
(2017/8/10)
Flash Memory Summit初日早朝にボヤ発生、展示会初日が休止に
(2017/8/9)
SSDベンチマークの期待と現実
(2013/8/26)
連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース
ワンチップ128GBのフラッシュメモリを実現する3D NAND技術
(2013/8/23)
連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース
Samsungが発表した「V-NAND」でフラッシュの時代が明ける
(2013/8/19)
3D NANDフラッシュ、華々しくデビュー
(2013/8/19)
【Flash Memory Summit 2012】【SSD編】
安易なSSD導入がもたらす「猛毒」の正体
(2012/9/6)
連載後藤弘茂のWeekly海外ニュース
DRAMとNANDフラッシュが終わり、新不揮発性メモリの時代が来る
(2012/8/29)
【Flash Memory Summit 2012】【半導体メモリ編】
SK Hynixが展望する半導体メモリの未来
(2012/8/27)
【FMS 2011レポート】
【ストレージ編】SSDのデータ復旧はHDDよりもはるかに難しい
(2011/8/22)
【FMS 2011レポート】
【次世代磁気メモリ編】ベンチャー企業が独自技術をアピール
(2011/8/19)
【FMS 2011レポート】
【NANDフラッシュ編】微細化限界の突破へ、3次元構造に期待
(2011/8/16)
連載福田昭のセミコン業界最前線
「究極のメモリ」に一段と近づいたスピン注入メモリ
(2010/9/14)
連載福田昭のセミコン業界最前線
NANDフラッシュメモリの信頼性を保つ技術
(2010/9/2)
【Flash Memory Summit 2010レポート】
次世代MRAMの開発企業が最新状況を語る
(2010/8/23)
【Flash Memory Summit 2010レポート】
HDDの性能ボトルネックをSSDキャッシュで解消
(2010/8/20)
【Flash Memory Summit 2009】
Sun MicrosystemsはSSDとHDDのハイブリッドへ
(2009/8/20)
【Flash Memory Summit 2009】
次世代メモリ技術の開発意欲は衰えず
(2009/8/17)
【Flash Memory Summit 2009】
3bit/セルのNANDフラッシュ技術をMicronが語る
(2009/8/17)
Flash Memory Summit 2009前日レポート
～フラッシュメモリとSSDの最新動向を業界関係者が発表
(2009/8/11)