福田昭のセミコン業界最前線 2018年 記事一覧
11月
半導体デバイスの明日を展望するIEDM 2018が12月に米国で開催
(2018/11/12)
10月
QLC技術を駆使する超大容量NANDフラッシュの性能向上技術
(2018/10/29)
QLC SSDがコスト低減を武器にニアライン/クライアントHDDを侵食
(2018/10/23)
NANDの10倍、Intel Optaneの2倍の速度を実現するMRAM SSD
(2018/10/15)
高速/長寿命でオンチップSRAMキャッシュの置き換えを目指す第4世代MRAM技術
(2018/10/1)
9月
2018年上半期の半導体ランキング、SamsungがIntelを突き放す
(2018/9/10)
8月
5年後に512TB SSDの実現に向けて突き進む3D NAND技術
(2018/8/23)
Micronが浮遊ゲート技術の3D NANDフラッシュ開発から撤退へ
(2018/8/13)
パナソニックとTSMCが次世代ReRAMを2019年製品化へ
(2018/8/8)
7月
(2018/7/30)
微細化と高密度化の限界に挑むマイコン/SoCの埋め込みフラッシュ
(2018/7/23)
(2018/7/18)
考えるだけでモバイル機器を操作。耳の孔に挿れる脳波検出モジュールを試作
(2018/7/6)
6月
完成に近づいた、SamsungのEUVリソグラフィ採用7nm半導体量産技術
(2018/6/29)
VLSI技術シンポジウム前日レポート、CPUとメモリ階層の行方を議論へ
(2018/6/19)
(2018/6/18)
(2018/6/12)
5月
ReRAMとMRAMがクロスポイント積層で100Gbit超えの大容量化へ
(2018/5/24)
4月
6月開催予定のVLSIシンポジウム、次世代のトランジスタ技術とMRAM技術に注目
(2018/4/20)
(2018/4/17)
3月
2月
3D NAND技術の開発競争で東芝-WD連合とSamsungが激突
(2018/2/26)
(2018/2/13)
1月
(2018/1/29)
IntelとMicronが歩んだNANDフラッシュ連合の始まりと終わり
(2018/1/22)
(2018/1/17)
(2018/1/10)
(2018/1/8)