福田昭のセミコン業界最前線 2016年 記事一覧
12月
(2016/12/9)
STT-MRAMの「夢」を捨てたMicronとSamsungが見据える未来
(2016/12/6)
11月
(2016/11/21)
(2016/11/4)
10月
12月開催のIEDMに7nm世代のデバイス技術と4Gbitの磁気メモリが登場
(2016/10/27)
9月
富士通が米社と共同開発する次世代メモリの恐るべき正体(後編)
(2016/9/26)
富士通が米社と共同開発する次世代メモリの恐るべき正体(前編)
(2016/9/15)
8月
なぜ3D XpointベースのSSDは期待通りの性能が出ないのか
(2016/8/29)
記憶容量拡大の階段を急速に駆け上がる3D NANDフラッシュ
(2016/8/19)
100TBの超大容量SSDを狙う4bit/セルの3D NANDフラッシュ
(2016/8/10)
7月
(2016/7/28)
(2016/7/22)
5月
【IMW 2016】袋小路に追い込まれつつある次世代不揮発性メモリ
(2016/5/18)
(2016/5/16)
(2016/5/2)
4月
(2016/4/25)
3月
元エルピーダ社長の坂本氏が興したDRAM企業「サイノキング」
(2016/3/17)
2月
プレーナNANDフラッシュの限界に挑むSamsungの14nmチップ
(2016/2/5)
(2016/2/2)
1月
「次世代大容量メモリ」からこぼれ落ちた、強誘電体メモリの過去と現在
(2016/1/25)
(2016/1/16)