Samsung、容量256GB転送速度850MB/secのスマホ用超高速フラッシュ

UFS 2.0準拠の256GBフラッシュ

　韓国Samusung Electronicsは25日(現地時間)、容量256GBの組み込み用フラッシュストレージの量産開始を発表した。

　積層型のV-NANDテクノロジーの採用により、1チップで容量256GBを達成。また組み込みフラッシュメモリ規格「Universal Flash Storage(UFS) 2.0」に準拠し、一般的なPC向けSATA接続SSDを超える性能を謳う。

　ランダム性能は、リード45,000IOPS、ライト40,000IOPSで、従来規格UFSのリード19,000IOPS、ライト14,000IOPSから2倍以上の性能向上を達成。シーケンシャルでは、リード850MB/sec、ライト260MB/secと、リードではSATA接続SSDの約2倍、ライトではmicroSDカードの約3倍に相当する性能を達成しているとする。

　同社では、本チップとUSB 3.0の採用により、次世代スマートフォンで高速なデータ転送を実現できるとしている。