キオクシア、書き込み性能が61%向上した第9世代BiCSフラッシュメモリをサンプル出荷

　キオクシアは、第9世代BiCS FLASH 3次元フラッシュメモリ技術を採用した512Gb TLC製品のサンプル出荷を開始した。量産は2025年度中を予定している。

　第9世代BiCS FLASH 512Gb TLCは、第5世代BiCS FLASH技術をベースとした120層積層プロセスのメモリセル技術と、最新のCMOS技術を活用した新世代のフラッシュメモリ。CBA(CMOS directly Bonded to Array)技術を活用し、既存のセル技術と最新のCMOS技術を融合させ、投資コストを抑えつつ高性能を実現する。

　第6世代BiCS FLASH製品と比較して、書き込み性能は61%、読み出し性能は12%向上した。電力効率についても、書き込み時に36%、読み出し時に27%改善、平面方向の縮小技術を組み合わせることで、ビット密度は8%向上した。

　そして、Toggle DDR6.0インターフェイスの導入により、3.6GbpsのNANDインターフェイススピードを実現している。NANDインターフェイススピード4.8Gbpsまでの動作も検証しており、今後市場要求に応じて製品のラインアップを検討する。

　なお、積層数を増加させて大容量かつ高性能を実現する第10世代BiCS FLASH製品群を展開することもあわせて発表された。

　サンプルは製品評価を目的としており、量産品とは仕様が異なる場合がある。