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JEDEC、最大68Gbpsを実現する「Wide I/O 2」メモリ規格を公開

 メモリなどの半導体の標準化団体であるJEDECは8日(米国時間)、3次元積層型DRAMの新規格「Wide I/O 2」の仕様を公開した。

 Wide I/O 2は、シリコン貫通ビア(TSV)を用いてダイを積層することで、フットプリントを抑えられるモバイル向けメモリ規格で、帯域幅は最大68Gbps(8チャネル時)と、前世代のWide I/Oの17Gbpsから4倍に高速化された。一方で駆動電圧は1.2Vから1.1Vへ引き下げられた。

 JEDECでは、8月25日(同)に同じくモバイル向けDRAM規格となるLPDDR4を発表しており、水平、垂直の両アーキテクチャを揃えることで、市場の要求に応えるメモリ性能を提供していくとしている。

モバイルメモリのロードマップ(Mobile Forum 2013のプレゼン資料より)

(多和田 新也)