SK hynix、HBM内に冷却素子を直接配置する新技術

iHBMの概念図。最も熱が集まるD2D PHY部分に冷却部材を配置して効果的な冷却を図る

　韓国SK hynixは5月26日、HBMパッケージ内に冷却素子を内蔵した次世代HBM向け技術「iHBM」を発表した。

　iHBMは、熱伝導性/非導電性材料で作られたシリコンベースの冷却部材「ICE(Integrated Cooling Elements)」をHBM内に直接組み込む技術。HBMで熱が最も集中するD2D PHY(ダイ間物理層)にICEを直接配置し、熱の逃げ道を作ることで冷却性能の向上を図っている。この仕組みによって熱抵抗を30%低減し、高温/高負荷環境下でも安定した動作を実現できるという。

　本技術には、半導体を積層する際に液状の保護材を流し込んでチップ間の結合と保護を行なうMR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill)をベースにした製造技術が用いられており、顧客のチップ設計を大きく変更することなく利用できるため、導入障壁の低さも利点としている。