NVIDIA Vera Rubin向けHBM4メモリ、MicronとSamsungが投入

　Micron TechnologyおよびSamsungは、米国にて開催中のGTC 2026にあわせ、NVIDIAのVera Rubinプラットフォーム向け次世代HBM4メモリを発表した。

　Micronでは、12積層/容量36GBのHBM4メモリについて、2026年第1四半期に量産出荷を開始。11Gbps超のピン速度により、帯域幅は2.8TB/s以上に達し、従来のHBM3Eと比べて2.3倍の帯域幅、20%以上の電力効率向上を実現している。

　加えて、16積層/容量48GBのHBM4メモリについても顧客へサンプル出荷を開始しており、さらなるメモリ容量拡大を進めている。

　Samsungでは現在、最新の第6世代10nm級DRAMプロセス(1c)を活用した第6世代HBM4メモリを量産中。安定した歩留まりと業界最高クラスの性能をうたう。ピン速度は11.7Gbpsで、将来的には13Gbpsまで引き上げることも可能だとしている。

　また、ピン速度16Gbps、帯域幅4TB/sを可能にする次世代メモリ「HBM4E」も開発中。新たにHCB(Hybrid Copper Bonding)と呼ばれる技術により、16層以上の積層を実現しながら、従来のTCB(Thermal Compression Bonding)採用製品と比べて、熱抵抗を20%以上抑えられるという。