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Micron、12層36GB HBM4のサンプル出荷を開始
2025年6月11日 16:09
Micronは10日、AIデータセンターなど向けのHBM4メモリ「HBM4 36GB 12-high」のサンプル出荷を主要顧客向けに開始したと発表した。
1β DRAMプロセスで製造され、12層積層の先進パッケージ技術、高性能なメモリ内蔵自己テスト機能(MBIST)を搭載。2,048bitのインターフェイスを採用し、メモリスタックあたり2TB/s超の高速転送を実現した。前世代(HBM3E)比で60%以上の性能向上、20%以上の電力効率改善を達成しており、AIデータセンターの処理速度や推論効率の向上が図れるとする。
なお、HBM4の量産開始時期は2026年を予定しているという。