Intel、業界初の商用高NA EUV装置。18A以降の先進プロセス製造開発へ

　Intelは18日(米国時間)、米オレゴン州ヒルズボロの研究開発施設にて、業界初となる商用高NA EUV(極端紫外線)リソグラフィスキャナの組み立てが完了したと発表した。納入されたASML製「TWINSCAN EXE:5000」は製品製造に向けて校正工程に入っているという。

　高NA EUV装置(0.55NA EUV)では、既存のEUV装置(0.33NA EUV)と比べて解像度を最大1.7分の1に縮小できるとされ、2次元パターンを微細化でき、最大2.9倍の密度を実現できるとする。また、高NA EUVの方がコントラスト比が高く、1回の露光に必要な光量を抑えられるため、プリント時間を短縮し、ウェハ製造量を増加させられるという。

　Intelでは、ASMLと協働を進めており、今回新たに導入した高NA EUV露光装置「TWINSCAN EXE:5000」もその結果の1つだという。今後は0.33NA EUV、0.55NA EUVの両方をほかのリソグラフィプロセスを併用し、Intel 18A以降の先進チップを開発/製造していくとしている。