Micron、世界初の176層NANDフラッシュを出荷

　Micron Technologyは11月9日(現地時間)、世界初となる176層の3D NANDフラッシュを出荷開始した。

　最大1,600MT/sで前世代より33%高速化したONFI(Open NAND Flash Interface)バスの第5世代3D NANDを採用し、前世代と比較して読み書きのレイテンシを35%以上改善。また、積層数でもっとも近い競合製品を40%ほど上回り、ダイサイズを30%小型化。小型フォームファクタにも好適としている。

　今回の積層数を実現するために、第2世代リプレースメントゲートアーキテクチャと、CMOSアンダーアレイ(CuA)技術を独自に組み合わせた。チップのロジック上に多層スタックを構築することで、ウェハごとの記憶容量を増やした。

　また、次世代NANDに向けてスケーラビリティと性能を改善するため、NANDセル技術を従来のフローティングゲート方式からチャージトラップ方式に移行。同時に、シリコン層の代わりに伝導性の高い金属ワード線を用いるリプレースメントゲートアーキテクチャと組み合わせることで高い性能を実現したとしている。

　現在、176層のTLC 3D NANDはシンガポール工場で量産されており、CrucialのコンシューマSSDラインなどで展開。2021年中にはこの技術を採用した新製品をさらに投入する予定。