TSMC、EUVを用いた5nmプロセスの設計基盤を提供開始

TSMCの液浸露光7nmノードで製造されるGPU「Radeon VII」

　Taiwan Semiconductor Manufacturing Company(TSMC)は3日(台湾時間)、同社のOpen Innovation Platform(OIP)に基づいた、完全版の5nmプロセス設計基盤の提供開始を発表した。

　同社によれば、5nmプロセスはすでにリスク生産段階に入っており、5Gおよび人工知能市場をターゲットに、次世代のハイエンドモバイルやHPCアプリケーションへ“新レベル”の性能と電力最適化を提供するとしている。

　5nmプロセスでは、同社の7nmプロセスと比較して、同じCortex-A72コアで1.8倍のロジック密度と15%の速度向上を実現できるという。

　5nmプロセスは、EUVリソグラフィ(極紫外線露光)で製造され、製造プロセスの簡略化によって歩留まりの優れた改善を遂げ、同社の以前のノードと比較しても、同じ開発段階で優れた技術的な成熟度を達成しているとアピールしている。