やじうまミニレビュー

Samsungが繰り出すPCIe 4.0 SSDの最終形態「990 PRO」

  • 平澤 寿康

2022年12月28日 06:21

やじうまミニレビューは、1つ持っておくと便利なPC周りのグッズや、ちょっとしたガジェットなど幅広いジャンルの製品を試して紹介するコーナーです。
日本サムスン「990 PRO 1TB」

　日本サムスンから、ハイエンドゲーマーやエンスージアストユーザーをターゲットとするPCIe 4.0/MVNe M.2 SSD新モデル「990 PRO」が登場した。海外では既に発売済みとなっている製品で、国内ではやや遅れて登場した形だが、日本サムスンのPCIe 4.0/MVNe M.2 SSDとして最上位モデルであり、注目度は高い。

　今回、990 PROの1TBモデルを試用する機会を得たので、仕様や性能面を紹介する。12月23日に発売開始となり、価格は1TBモデルが2万3,980円、2TBモデルが4万2,980円。

電力効率を高めた新コントローラ採用でPCIe 4.0の上限に近い速度を発揮

　990 PROは、冒頭でも紹介しているように、日本サムスンのPCIe 4.0/NVMe SSDとして最上位となる最新モデルで、従来モデル「980 PRO」の後継となる。フォームファクタはM.2 Type2280、接続インターフェイスはPCIe 4.0x4、プロトコルはNVMe 2.0。容量は1TB、2TBの2種類。海外では4TBモデルも発表済みだが、国内での4TBモデルの発売は未定。

　従来モデルの980 PROは、シーケンシャルアクセス速度がリード最大7,000MB/s、ライト最大5,000MB/sと、非常に高速な転送速度を実現することで大いに注目された。その後継モデルの990 PROではさらなる性能向上を実現。990 PROの主な仕様は以下の表にまとめたとおりだが、シーケンシャルアクセス速度はリード最大7,450MB/s、ライト最大6,900MB/sに達している。ランダムアクセス速度もリード最大140万IOPS、ライト最大155万IOPSと、980 PROとの比較で最大55%もの性能向上を実現している。

【表1】990 PROの主な仕様容量
1TB2TB
フォームファクタM.2 2280
インターフェースPCI Express 4.0 x4
プロトコルNVMe 2.0
NANDフラッシュメモリTLC 3D NAND「第7世代 V-NAND」
コントローラSamsung内製コントローラ
DRAMキャッシュLPDDR4 1GBLPDDR4 2GB
Intelligent TurboWrite 2.0
SLCキャッシュ容量		標準：6GB、Intelligent：108GB
最大：114GB		標準：10GB、Intelligent：216GB
最大：226GB
シーケンシャルリード7,450MB/s
シーケンシャルライト6,900MB/s
ランダムリード(QD1,Thread1)22,000 IOPS
ランダムライト(QD1,Thread1)80,000IOPS
ランダムリード(QD32,Thread16)1,200,000IOPS1,400,000IOPS
ランダムライト(QD32,Thread16)1,550,000IOPS
総書き込み容量600TBW1,200TBW
保証期間5年

　SSDコントローラは、従来同様にSamsung内製コントローラを採用。980 PROに搭載されていた「Elpis Controller」と比較して電力効率が大幅に向上しており、1W当たりのパフォーマンスが50%向上しているという。なお、コントローラの型番は非公開だ。

　NANDフラッシュメモリには、Samsungの第7世代「V-NAND」を採用。セルあたり3bitのデータを保存できるTLC仕様となる点は従来同様だ。DRAMキャッシュメモリはLPDDR4で、搭載容量は1TBモデルが1GB、2TBモデルが2GB。

　TLC仕様のNANDフラッシュメモリを搭載していることで、書き込み性能を向上させるSamsungオリジナルのSLCキャッシュ技術「Intelligent TurboWrite 2.0」も搭載。SLCキャッシュ容量は標準で1TBモデルは6GB、2TBモデルは10GB確保するが、書き込み容量に応じて容量が自動的に拡張され、1TBモデルでは最大114GB、2TBモデルでは最大226GBとなる。

基板表。フォームファクタはM.2 Type 2280、接続インターフェイスはPCIe 4.0x4、プロトコルはNVMe 2.0
基板裏。こちらにはチップは実装せず、SSDコントローラやNANDフラッシュメモリチップの冷却を促すヒートスプレッダラベルを装着

　高速SSDで不可欠となる熱への対策も申し分ない。SSDコントローラやNANDフラッシュメモリチップの熱を効率良く発散できるよう、SSDコントローラにニッケルコーティングを施すとともに、基板裏面基にヒートスプレッダラベルを装着。同時に、従来モデルにも搭載されている熱監視システム「Dynamic Thermal Guard technology」も組み合わせ、常に最適な温度を維持し、長時間の利用でもパフォーマンス低下を最小限に抑えられるとしている。

　総書き込み容量は、1TBモデルが600TBW、2TBモデルが1,200TBW。保証期間は5年。

　試用した1TBモデルを見ると、基板表にはニッケルコーティングされたSSDコントローラとDRAMキャッシュメモリチップ、NANDフラッシュメモリチップが2チップ搭載されていることを確認。また裏面には銅箔を利用したヒートスプレッダラベルも確認できる。

ラベルの下には、SSDコントローラチップ、DRAMキャッシュチップが確認できる
SSDコントローラチップにはニッケルコーティングを施すことで、熱を効率良く発散できるように工夫されている
NANDフラッシュメモリチップは2チップ搭載。TLC仕様の第7世代V-NANDを採用
裏面のヒートスプレッダラベルには、銅箔の層が見える

Intel環境では公称のアクセス速度に到達せず

　では、ベンチマークテストを利用して速度をチェックしていこう。利用したベンチマークソフトは、「CrystaDiskMark 8.0.4」と「ATTO Disk Benchmark V4.01.0f2」、「PCMark 10 Storage Full System Drive Benchmark」、「3DMark Storage Benchmark」の4種類だ。

　テスト環境は以下にまとめたとおりで、テスト時にはSSDにマザーボード付属のヒートシンクを装着し、ヒートシンクに空冷ファンのエアフローが届く状態で計測している。

テスト環境

  • マザーボード:ASRock Z590 Steel Legend WiFi 6E
  • CPU:Core i5-11400
  • メモリ:DDR4-3200 32GB
  • システム用ストレージ:Samsung SSD 950 PRO 256GB
  • OS:Windows 11 Pro 64bit
CrystaDiskMark 8.0.4の結果
データサイズ1GiB
データサイズ64GiB
ATTO Disk Benchmark V4.00.0f2の結果
PCMark10 Storage Full System Drive Benchmarkの結果
3DMark Storage Benchmarkの結果

　まず、CrystalDiskMarkから。こちらは設定を「NVMe SSD」にして計測している。結果を見ると、シーケンシャルアクセス速度は、リードが7,127.82MB/s、ライトが6,761.82MB/sと、いずれも公称に届いていない。

　この傾向はATTO Disk Benchmarkの結果も同様。こちらもリード、ライトとも公称の速度に届いていない。

　また、ランダムアクセス速度についても、QD32/Thread16のライトが公称の速度から大きく下回っている。ただ、QD32/Thread16のリードと、QD1/Thread1のリード、ライトはほぼ公称通りの速度が得られている。

　Samsungによると、公称のアクセス速度は、AMD X570/AMD Ryzen 7 5800Xの組み合わせで計測したものだという。つまり、公称どおりの速度を発揮させるにはAMD環境が必要となり、Intel環境では公称の速度が発揮されない場合がある、と考えられる。

　この点は、Intel環境利用者にとって少々気になる部分ではある。それでも速度的には全く申し分ないものとなっており、ベンチマークテストで公称の速度が引き出せていないとしても、その違いを体感できるほどではないはずだ。そのため、基本的には問題ないと考えていいだろう。

　PCMark10 Storage Full System Drive Benchmarkと3DMark Storage Benchmarkの結果は、十分なスコアが得られてはいるものの、同等クラスのハイエンドSSDの結果と比較するとわずかだが見劣りする印象。おそらく、こちらもIntel環境でスコアが伸びない可能性が高い。とはいえ、この差も体感できるほどではないと思われるので、ハイエンドSSDとして申し分ない性能が発揮できていると言える。

HD Tube Pro 5.75で200GBのデータを連続書き込みした場合の速度変化

　最後に、大容量データを書き込んだときの速度の変化をチェックしてみた。HD Tube Pro 5.75を利用して200GBのデータを連続で書き込んだ場合の速度変化をチェックしたところ、114GB付近で書き込み速度が大きく低下した。容量1TBの990 PROではIntelligent TurboWrite 2.0でのSLCキャッシュ容量が最大114GBということで、公称通りの結果となっている。ただ、速度低下後も1,300MB/sほどと比較的高速な速度が発揮されているため、これならSLCキャッシュが尽きてもまずまず快適に利用できそうだ。

Intel環境との相性は気になるが、定番ハイエンドSSDとして魅力

　今回990 PROを試用して気になったのは、やはりIntel環境でベンチマークテストのスコアが公称の性能に届いていない、という点だ。このあたりは、SSDコントローラや、IntelのPCI Expressまわりの設計やドライバなどとの相性によるものとも考えられる。ただ、競合の製品ではIntel環境でも公称どおりの速度が確認できるものも多く、どうしても残念に感じてしまう。

　ただ、この点を考慮しても、性能としてはハイエンドSSDとして全く見劣りするものではなく、ハイエンドゲーマーやエンスージアストユーザーがIntel環境で利用するとしても、十分に満足できるものと言っていいだろう。もちろん、AMD環境の利用者であれば、990 PROが備える性能を最大限に引き出せる可能性が高いため、より高い魅力のある製品と言える。

　Samsung製SSDは、ハイエンドユーザーを中心に定番SSDとして根強い人気がある。そして990 PROについても、ハイエンドユーザーにとって十分な魅力を備える製品に仕上がっており、定番ハイエンドSSDとしてお勧めしたい。