Rapidus、日本初となる最先端半導体量産向け製造設備を導入開始

EUV露光装置の搬入/設置を記念した式典の模様。左から、横島直彦氏(NEDO副理事長)、奥家敏和氏(経産省 大臣官房審議官)、鈴木直道氏(北海道知事)、小池淳義氏(Rapidus社長)、ジム・クーンメン氏(ASML EVP/CCO)、ヒルス ベスホー・プルッフ氏(駐日オランダ大使)、横田隆一氏(千歳市長)

　Rapidusは18日、同社が北海道千歳市で建設中の半導体開発/生産施設「IIM-1」(Innovative Integration for Manufacturing-1)に、ASML製EUV露光装置を搬入し、設置を開始したと発表した。最先端半導体の量産に対応するEUV露光装置の導入は日本初だとしている。

　2nm以前はArF液浸露光技術が最先端だったが、2nm世代以降ではEUVによる短波長化が必須になるとされ、EUVリソグラフィは最先端半導体を実現する上で重要な技術の1つとなっている。今回導入されるASML製EUV露光装置は、反射型のフォトマスク、ミラーレンズを用いた光学系を採用。位置合わせとスキャンを別々のステージで行なうTWINSCANプラットフォームにより、微細化に対応しながら生産性を高められるという。

　2025年4月には、IIM-1でパイロットラインの稼働を開始予定。すべての製造装置で枚葉プロセスを導入し、新たな半導体ファウンドリサービス「RUMS」(Rapid and Unified Manufacturing Service)の構築を進めていくとしている。