IBMとSamsung、微細化FinFETと比べて85%省エネ化できる「VTFET」

　IBMとSamsung Electronicsは14日(米国時間)、微細化FinFETと比べて85%のエネルギー使用量削減が期待できる垂直型トランジスタ「VTFET(Vertical Transport Field Effect Transistor)」を発表した。

　VTFETは、チップの表面に垂直に形成することで電流が上下に流れるのが特徴のトランジスタ。さらにトランジスタの接続点の見直しなどにより、損失を低減しながら大きな電流を流すことで、微細化したFinFETと比べて2倍の性能改善または85%のエネルギー電力使用量削減を目指すとしている。

　同社ではVTFETによって、1週間以上充電しなくても済む携帯電話のバッテリや、暗号通貨マイニングやデータ暗号化といったプロセスにおける大幅な消費電力削減、低消費電力で動作するIoT機器のより広範囲な活用などにつながるとしている。