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Intel、米国に2つの最先端半導体工場建設
2021年9月29日 11:12
米Intelは24日(現地時間)、米国アリゾナ州チャンドラーにあるオコティージョ・キャンパスにおいて、新たに2つの最先端半導体製造施設「Fab 52」および「Fab 62」(以下:ファブ)の起工式を行なった。2024年のフル操業を予定しており、「RibbonFET」や「PowerVia」を採用した「Intel 20A」をはじめとした最先端プロセス技術製品を製造する予定。
起工式にはCEOであるパット・ゲルシンガー氏が参加したほか、政府高官や地域リーダーも出席。今回の投資は200億ドル規模で、同州史上最大の民間投資による着工となっている。キャンパス内には合計6個ものファブが設置されることになり、3,000人以上のハイテク/高賃金社員、3,000人の建設従事者、1万5,000人の地域社会における間接雇用が創出されるという。
この新しいファブによって高度な半導体製造能力と技術力を維持し、米国の経済的、国家安全保障的な観点からも不可欠となる米国の半導体におけるリーダーシップの復権と、バランスのとれたグローバルなサプライチェーンの形成に貢献していくとしている。
このため新ファブはIntel製品に対する需要拡大のサポートのみならず、他社の半導体の製造の下請けサービスである「Intel Foundry Services(IFS)」に必要な製造能力も提供する。
Intelは米国での継続的な投資も計画しているが、これは政府協力のもと競争条件を整えることなくして実現しないとしており、米国議会の再開とともに、米国の競争力強化と先進的な半導体製造および研究開発に投資することを目的とした超党派の法案をバイデン大統領に提出するよう、両議会に要請するとしている。
