SK hynix、米国に先端半導体の製造/研究施設。約5,900億円を投資

　SK hynixは3日(韓国時間)、最新のHBMやDRAMなど向けの先端パッケージング製造および研究開発施設を、米インディアナ州ウェストラファイエットに建設すると発表した。投資額は約38億7,000万ドル(日本円で約5,870億円)の見込みで、1,000人超の新規雇用をもたらすとともに、米国におけるAIサプライチェーン強化が期待できるとしている。

　AIの学習にはGPUが欠かせないが、今回発表した新施設は、そのGPUの重要なパーツとなる次世代HBMや最高性能のDRAMチップを量産する先進半導体製造ラインとなる。2028年後半の量産開始を目指しており、製造施設だけでなく、次世代チップや高度なパッケージング技術に関する研究開発施設も設置される。

　建設地の選定理由については、インディアナ州の持つ強靱な製造インフラや研究開発エコシステム、州立のパデュー大学からの人材パイプライン、州および地元政府による強力な支援などを挙げている。

　またSK hynixでは、龍仁市の半導体クラスターへの120兆ウォン(約13兆円)の投資など、韓国国内での設備投資も計画通り進めており、こちらは2025年3月にも最初の施設に着工し、2027年初頭の完成を予定している。