SK Hynix、460GB/s超を実現する業界最速DRAM「HBM2E」

HBM2E

　韓国SK Hynixは12日(韓国時間)、業界最速を謳うDRAM「HBM2E」の開発を完了し、2020年より量産を開始すると発表した。

　HBM2Eはピンあたり3.6Gbpsの転送が可能で、1,024個のデータ入出力を備え、HBM2比で50%高速な460GB/s超の帯域幅サポートが謳われている。TSV(Through Silicon Via: シリコン貫通ビア)技術を利用することで16Gbチップを最大8層スタックでき、HBM2の2倍にあたるデータ容量16GBという高密度パッケージを実現した。

　モジュールにマウントされる市販のDRAM製品とは異なり、モジュールパッケージとして提供される。GPUやロジックチップなどのプロセッサと数㎛の距離で密接に相互接続され、高速なデータ転送が可能で、同社では最高のメモリ性能を要求するハイエンドGPUやスーパーコンピュータ、機械学習、人工知能システムなどに最適なメモリソリューションとしている。