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HBM2E
Samsung、1チップで24GBの次世代HBMを実現する「12層3D TSV」技術
2019年10月7日
Samsung、帯域幅538GB/sを実現する「HBM2E」メモリを上半期中に量産開始
2020年2月5日
SK hynix、460GB/sの広帯域メモリ「HBM2E」を量産開始
2020年7月6日
