Samsung、1チップで24GBの次世代HBMを実現する「12層3D TSV」技術

パッケージ厚を変えずに8層から12層へ積層数を増加

　Samsung Electronicsは7日(韓国時間)、業界初となる12層3D TSV(Through Silicon Via: シリコン貫通ビア)技術を発表した。

　同技術は、チップ1枚あたりに髪の毛の20分の1という細さのTSVホールを6万以上配置し、DRAMチップ12枚を積層して相互接続を可能とする高精度なパッケージング技術。

　12層積層した場合のパッケージ厚は720㎛と現行の8層HBM2製品と同じで、メーカー側は搭載システムの設計を変更することなく、次世代の大容量メモリの搭載が可能であるとする。

　同社では、量産中の8Gbチップを8層積層した8GB HBMパッケージから、16Gbチップを12層積層した24GBパッケージを量産する意向を示しており、次世代GPUやアクセラレータ製品のVRAM容量の大幅な向上が期待される。

従来のワイヤボンディングとTSV技術の違い