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Samsung、帯域幅538GB/sを実現する「HBM2E」メモリを上半期中に量産開始
～10nmプロセスで1チップ16GBを実現
2020年2月5日 18:46
韓国Samsung Electronicsは4日、高性能コンピューティング(HPC)システム向けの高速メモリHigh Bandwidth Memory 2E(HBM2E)である「Flashbolt」を2020年前半に量産を開始すると発表した。
前世代にあたる8GB HBM2製品「Aquabolt」からチップ容量が2倍の16GBへ拡張され、性能と電力効率の大幅な改善が謳われている。
Flashboltはバッファチップ上に10nmクラス(1y)の16Gb DRAMダイを8層積層して形成される。パッケージ全体で4万超のシリコン貫通ビア(TSV)マイクロバンプによって相互に接続される。
速度面では、スタックごとのメモリ帯域幅は410GB/sで、信号伝送用に独自に最適化された回路設計を活用し、3.2Gbpsの転送レートを提供。
またこれまでにテストされたなかで最速となる転送レート4.2Gbpsも達成しており、スタックあたり帯域幅はAquaboltの307GB/s比で1.75倍となる538GB/sの実現を謳う。
Aquaboltも引き続き提供されるが、今後Flashbolt製品を拡大し、プレミアムメモリ市場全体でHBMソリューションへの移行を加速するため、次世代システムのエコシステムパートナーとのコラボレーションをさらに強化するとしている。