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Samsung、64層V-NAND搭載で最大4TBのSSD
2018年1月24日 00:00
日本サムスン株式会社は、SATA 6Gbps接続のSSD「Samsung SSD 860 PRO」と「Samsung SSD 860 EVO」を2月上旬より販売開始すると発表した。価格はオープンプライス。販売はITGマーケティング株式会社が行なう。
同社850 PRO/EVOの後継モデルで、最新の64層V-NANDと新型MJXコントローラを搭載。860 PROはシーケンシャルリードで最大560MB/s、シーケンシャルライトで最大530MB/s、860 EVOでは同リードが550MB/s、同ライトが520MB/sとなる。
フォームファクタはM.2(2280)、mSATA、2.5インチの3種類。860 PROに関しては2.5インチ品のみとなり、容量は256GB/512GB/1TB/2TB/4TBを用意。860 EVOはM.2が250GB/500GB/1TB/2TB、mSATAが25GB/500GB/1TB、2.5インチが256GB/512GB/1TB/2TB/4TBと。なお、4TBモデルは受注生産品となっている。
おもな仕様は下表のとおり。
| 型番 | MZ-76P4T0B/IT | MZ-76P2T0B/IT | MZ-76P1T0B/IT | MZ-76P512B/IT | MZ-76P256B/IT |
|---|---|---|---|---|---|
| 容量 | 4TB | 2TB | 1TB | 512GB | 256GB |
| インターフェイス | SATA 6Gbps | ||||
| フォームファクタ | 2.5インチ(7mm厚) | ||||
| シーケンシャルリード | 560MB/s | ||||
| シーケンシャルライト | 530MB/s | ||||
| ランダム4Kリード(QD1) | 11,000IOPS | ||||
| ランダム4Kライト(QD1) | 43,000IOPS | ||||
| ランダム4Kリード(QD32) | 100,000IOPS | ||||
| ランダム4Kライト(QD32) | 90,000IOPS | ||||
| TBW(総書き込みバイト数) | 4,800TB | 2,400TB | 1,200TB | 600TB | 300TB |
| MTBF(平均故障間隔) | 250万時間 | ||||
| NANDフラッシュ | Samsung V-NAND | ||||
| コントローラ | Samsung MJX | ||||
| キャッシュメモリ | 4GB LPDDR4 | 2GB LPDDR4 | 1GB LPDDR4 | 512MB LPDDR4 | |
| 記録方式 | 2bit MLC | ||||
| 店頭予想価格 | 288,000円 | 144,000円 | 73,000円 | 41,000円 | 23,000円 |
| 型番 | MZ-76E4T0B/IT | MZ-76E2T0B/IT | MZ-76E1T0B/IT | MZ-76E500B/IT | MZ-76E250B/IT |
|---|---|---|---|---|---|
| 容量 | 4TB | 2TB | 1TB | 500GB | 250GB |
| インターフェイス | SATA 6Gbps | ||||
| フォームファクタ | 2.5インチ(7mm厚) | ||||
| シーケンシャルリード | 550MB/s | ||||
| シーケンシャルライト | 520MB/s | ||||
| ランダム4Kリード(QD1) | 10,000IOPS | ||||
| ランダム4Kライト(QD1) | 42,000IOPS | ||||
| ランダム4Kリード(QD32) | 98,000IOPS | ||||
| ランダム4Kライト(QD32) | 90,000IOPS | ||||
| TBW(総書き込みバイト数) | 2,400TB | 1,200TB | 600TB | 300TB | 150TB |
| MTBF(平均故障間隔) | 150万時間 | ||||
| NANDフラッシュ | Samsung V-NAND | ||||
| コントローラ | Samsung MJX | ||||
| キャッシュメモリ | 4GB LPDDR4 | 2GB LPDDR4 | 1GB LPDDR4 | 512MB LPDDR4 | |
| 記録方式 | 3bit MLC | ||||
| 店頭予想価格 | 228,000円 | 104,000円 | 50,000円 | 23,000円 | 14,000円 |
| 型番 | MZ-N6E2T0B/IT | MZ-N6E1T0B/IT | MZ-N6E500B/IT | MZ-N6E250B/IT |
|---|---|---|---|---|
| 容量 | 2TB | 1TB | 500GB | 250GB |
| インターフェイス | SATA 6Gbps | |||
| フォームファクタ | M.2 2280 | |||
| シーケンシャルリード | 550MB/s | |||
| シーケンシャルライト | 520MB/s | |||
| ランダム4Kリード(QD1) | 10,000IOPS | |||
| ランダム4Kライト(QD1) | 42,000IOPS | |||
| ランダム4Kリード(QD32) | 97,000IOPS | |||
| ランダム4Kライト(QD32) | 88,000IOPS | |||
| TBW(総書き込みバイト数) | 1,200TB | 600TB | 300TB | 150TB |
| MTBF(平均故障間隔) | 150万時間 | |||
| NANDフラッシュ | Samsung V-NAND | |||
| コントローラ | Samsung MJX | |||
| キャッシュメモリ | 2GB LPDDR4 | 1GB LPDDR4 | 512MB LPDDR4 | |
| 記録方式 | 3bit MLC | |||
| 店頭予想価格 | 104,000円 | 50,000円 | 23,000円 | 14,000円 |
| 型番 | MZ-M6E1T0B/IT | MZ-M6E500B/IT | MZ-M6E250B/IT |
|---|---|---|---|
| 容量 | 1TB | 500GB | 250GB |
| インターフェイス | SATA 6Gbps | ||
| フォームファクタ | mSATA | ||
| シーケンシャルリード | 550MB/s | ||
| シーケンシャルライト | 520MB/s | ||
| ランダム4Kリード(QD1) | 10,000IOPS | ||
| ランダム4Kライト(QD1) | 42,000IOPS | ||
| ランダム4Kリード(QD32) | 97,000IOPS | ||
| ランダム4Kライト(QD32) | 88,000IOPS | ||
| TBW(総書き込みバイト数) | 600TB | 300TB | 150TB |
| MTBF(平均故障間隔) | 150万時間 | ||
| NANDフラッシュ | Samsung V-NAND | ||
| コントローラ | Samsung MJX | ||
| キャッシュメモリ | 1GB LPDDR4 | 512MB LPDDR4 | |
| 記録方式 | 3bit MLC | ||
| 店頭予想価格 | 50,000円 | 26,000円 | 15,000円 |