Micron、最先端DDR4メモリの生産開始。マナサス工場でウェハ供給量を4倍に

　米Micronは5月22日(現地時間)、米国バージニア州マナサスのDRAM製造拠点において、最先端の1αノードを採用したDDR4メモリの生産を開始したと発表した。これにより、マナサスにおけるDDR4ウェハ供給量が4倍となり、2026年末までには認定済み品の生産が行なわれる見込み。

　1αノードはアメリカ国内で最先端のDRAM製造プロセスで、自動車、防衛/航空宇宙、産業機器、ネットワーク機器、医療機器向けメモリといった長寿命のDDR4メモリやLPDDR4など、クリティカルなアプリケーション向けに好適だという。同社はマナサス工場の拡張と近代化において20億ドル(約3,178億円)以上投資し、3,100人以上の雇用を支えている。

　今回のプロジェクトは、同社が進めている約2,000億ドル規模の米国内投資計画の一環となっており、アイダホ州やニューヨーク州の計画とともに約9万人の雇用を創出し、アメリカの経済的および国家的な安全保障を強化するとしている。