TSMC、EUV露光による7nm量産を第2四半期より開始

TSMCの7nmノードで製造されたRadeon VIIチップ

　台湾の半導体製造業者Taiwan Semiconductor Manufacturing Company(TSMC)は1月17日(台湾時間)、2018年第4四半期決算報告において、極端紫外線(EUV)露光による7nmノードの量産を2019年第2四半期より開始することを明らかにした。

　TSMCは2018年4月より7nmノードの量産を開始しているが、現在の第1世代7nmラインは従来のArF液浸露光による生産となっている。第2世代の7nmノード(N7+)では、EUV露光によって生産が行われる予定で、量産体制に移行するとされているのはこのN7+となる。

　TSMCのCC Wei CEOは、EUVによる7nm製造が展開されれば、2018年で総ウェハ売上高に対し9%だった7nmノードの売上高は、25%まで成長するとの見込みを示している。

　また同氏によれば、さらに微細化を進めた5nmノードについても、2019年前半にテープアウトし、2020年前半に量産体制に移行する計画であるという。

　Digitimes誌では、情報筋より得た情報として、EUV露光装置を製造しているASMLが、2019年に出荷を検討しているEUVシステム30基のうち、18基がTSMCへの納入が予定されており、TSMCが3月末よりEUV 7nm量産を開始する予定であると報じている。