過激さを増す3D NANDの開発競争、“5bit/セル”技術も登場(3/8)

NANDフラッシュメモリの記憶密度の推移(国際学会ISSCCで発表されたシリコンダイ)。国際学会ISSCCの実行委員会が2018年11月に報道機関に配布した資料から