過激さを増す3D NANDの開発競争、“5bit/セル”技術も登場(2/8)

NANDフラッシュメモリの大容量化の進展(国際学会ISSCCで発表されたシリコンダイ)。国際学会ISSCCの実行委員会が2018年11月に報道機関に配布した資料から