Intel、2030年までに1パッケージに1兆トランジスタ実現へ

　Intelは3日(米国時間)、IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)2022に向けた同社の研究成果を発表した。2030年までに1パッケージで1兆個のトランジスタ実装の達成を目指すとしている。

　ハイブリッドボンディング技術では、2021年発表のものに比べ、電力や性能の密度が10倍向上。3μmのピッチによりモノリシックSoC並みのインターコネクト密度と帯域幅を実現できるとする。

　加えて、GAAトランジスタの実現に欠かせない、3原子分の厚さの2Dチャネル素材を用いたGate All Around(GAA)型積層ナノシート構造の実証と、室温で低リーク電流なトランジスタスイッチングを達成した。

　また、トランジスタ上に垂直配置できるメモリの開発のほか、電力効率の改善に向けて、GaN-on-Siliconウェハの開発や、電源を切ってもデータを維持できるトランジスタの実現なども進めているという。