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Intel、144層のQLC NANDを2020年に「Arbordale+」として投入

～クライアント向けSSDに96層QLCの「665p」もまもなく投入へ

笠原一輝

2019年9月26日 11:00

144層QLC NANDを2020年に投入

　Intelは、9月26日に韓国ソウル市において同社のストレージ製品に関するイベント「Memory & Storage Day 2019」を開催しており、IntelブランドのSSD製品などに関して発表を行なった。

　このなかでIntelは、Intel 660pなどの同社SSD製品に採用しているQLC NANDの技術などに関して説明を行ない、新製品の計画を発表した。

96層QLCに引き続き、144層QLCをDC向けのArbordale+として2020年に投入

SLC、MLC、TLC、QLCと進化してきたNAND型フラッシュメモリ

　3D NANDは現在のSSDなどに一般的に採用されているフラッシュメモリの技術だ。言ってみれば平屋建てだった2D NANDではチップのダイサイズを大きくしなければ容量を増やすことができなかった。しかし、高層ビルのように3D方向にもセル(NANDの最小単位)を格納できるようにした3D NANDでは層数を増やせば増やすほど容量を増加させることが可能になる。

　Intelの3D NANDは2016年に第1世代となる32層TLC NANDとして製品化されている。NAND型フラッシュメモリには、1つのセルに格納できるデータの量の違いにより複数の方式が用意されている。1つのセルに複数のデータを格納できるようになれば、より大容量が実現できるというメリットがあるが、速度と耐久性が低下するというトレードオフがある。現在は容量と性能や耐久性のバランスからMLCやTLCが一般的になりつつあり、現在はより大容量を低コストに実現できるQLCが普及段階にある。

　Intelが3D NANDの第2世代として2017年に投入したのが64層のQLCで、クライアント向け製品ではIntel 660pで採用されている。Intel 660pは2TBなどの大容量でも、TLC NANDよりも圧倒的に安価に設定されており、SSDの速度で大容量が必要というニーズにマッチした製品になっている。

サーバー向けのロードマップ

　そしてIntelが今年(2019年)投入する第3世代が96層のQLCだ。96層のQLCとしては、「660p」の後継製品となる「665p」を計画しており、まもなく投入されるとIntelでは説明した。データセンター向けには「Cliffdale-R」(開発コードネーム)が計画されており、こちらは2020年に投入が計画されている。

　さらに今回Intelが明らかにしたのが144層のQLCで、2020年に製品として投入する計画となっている。144層のQLCに基づいた製品は「Arbordale+」(開発コードネーム)となり、データセンター向けとして投入される。