東芝メモリ、SLC技術でTLC比10倍高速なストレージクラスメモリ

XL-FLASH

　東芝メモリ株式会社は6日、高速フラッシュメモリ「XL-FLASH」を開発を発表した。9月より128Gbitチップのサンプル出荷を開始し、2020年より量産を開始する。

　XL-FLASHは、96層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」を、セルあたり1ビットのみ記録するSLC技術を用いて、高速な読み出し/書き込みを可能にした製品。

　高度な並列処理を実現する16プレーンアーキテクチャと、4KBページファイルを採用。2段/4段/8段の積層が可能となっている。

　東芝メモリでは、DRAMとストレージの大きな速度差を埋める、「ストレージクラスメモリ」用の製品として位置づけており、リード時レイテンシは5μs未満と小さく、転送速度も既存のTLC比で約10倍高速としている。

　まずはSSDとして製品展開されるが、将来的にNVDIMMなどDRAMバス上のメモリチャネルデバイスとしても投入される見込み。

CM6

　東芝メモリでは、PCI Express 4.0接続のエンタープライズ向け高速SSD「CM6」シリーズも7日に発表。

　デュアルポート対応のPCIe 4.0とNVMe 1.4に対応し、業界最速クラスとなるシーケンシャルリード6.4GB/sの高速転送性能を謳う。

　フォームファクタは2.5インチで、800GBから30TBまでの容量を用意。それぞれで1DWPD(Drive Write Per Day)と3DWPDのラインアップを提供する予定としている。