次世代HBMは転送速度1TB/s超えの速度に

AMDのHBM実装図

　JEDEC Solid State Technology Associationは17日(米国時間)、High Bandwidth Memory(HBM) DRAMの規格をアップデートし、「JESD235」を発表した。

　HBMはグラフィックスやHPC、サーバー、ネットワーキングなど広帯域と低消費電力、高密度実装を求められる業界向けの高速メモリで、Radeon VegaやTITAN Vといったビデオカードで採用されている。

　JESD235では、8つの独立チャネルに分割された1,024bit幅のインターフェイスを介するアクセスにより、1スタックデバイスあたり最大307GB/sの帯域を実現。TSV技術による2Hi(2層)、4Hi(4層)、8Hi(8層)、12Hi(12層)のメモリ積層に対応し、1スタックあたりの最大容量は24GBまでサポートされる。

　Tesla V100などで採用されている4スタック構成の場合、JESD235ではインターフェイス幅4,096bit/合計帯域幅1,228GB/sで、最大96GBのVRAMの構築が可能となる。

　今回の規格更新では、ピンあたりの帯域幅が2.4Gbpsに拡張され、高密度コンポーネント用の16Gbレイヤーと12Hi構成に対応する新しいフットプリントオプションの追加などが行なわれている。