![Micronが国際学会ISSCCで2022年2月に発表した3D NANDフラッシュメモリのシリコンダイ写真(左)と概要(中央)、説明文(右)(講演番号7.2)。記憶容量は1Tbit、ワード線の積層数は176層、多値記憶はQLC方式である。シリコンダイ面積は69.7平方mm。ワード線デコーダとワード線ドライバ、ボンディングパッドを除いたすべての周辺回路を3次元メモリセルアレイと積層した。概要の表組みは左側(This Design)が開発成果。右側の[6]はSK hynixが2020年2月にISSCC 2020で発表した3D NANDフラッシュメモリの内容。Micronの講演スライドから抜粋したもの](/img/pcw/docs/1443/394/html/photo008_o.jpg.html)
Micronが国際学会ISSCCで2022年2月に発表した3D NANDフラッシュメモリのシリコンダイ写真(左)と概要(中央)、説明文(右)(講演番号7.2)。記憶容量は1Tbit、ワード線の積層数は176層、多値記憶はQLC方式である。シリコンダイ面積は69.7平方mm。ワード線デコーダとワード線ドライバ、ボンディングパッドを除いたすべての周辺回路を3次元メモリセルアレイと積層した。概要の表組みは左側(This Design)が開発成果。右側の[6]はSK hynixが2020年2月にISSCC 2020で発表した3D NANDフラッシュメモリの内容。Micronの講演スライドから抜粋したもの