SK hynixが国際学会ISSCCで2022年2月に発表した3D NANDフラッシュメモリのシリコンダイ写真(講演番号7.3)。記憶容量は1Tbit、ワード線の積層数は176層、多値記憶はQLC方式である。シリコンダイ面積は69.3平方mm。SK hynixの講演スライドから抜粋したもの
