WD-キオクシア連合が国際学会ISSCCで2022年2月に発表した3D NANDフラッシュメモリと最近のQLC(4bit/セル)方式による開発成果との比較表(講演番号7.1)。表中の左端「This Work」が今回の開発成果。その右から「ISSCC2021(1)」はIntel、「ISSCC2020(2)」はSK hynix、「ISSCC2020(2)」はSamsungが過去に発表した3D NANDフラッシュメモリの概要。WD-キオクシア連合の講演スライドから抜粋したもの
