WD-キオクシア連合が国際学会ISSCCで2022年2月に発表した3D NANDフラッシュメモリのシリコンダイ写真(講演番号7.1)。記憶容量は1Tbit。ワード線の積層数は162層、多値記憶はQLC方式である。シリコンダイ面積は68平方mm。WD-キオクシア連合の講演スライドから抜粋したもの
