2022年2月に国際学会ISSCCで発表された3D NANDフラッシュメモリ技術の概要。シリコンダイの記憶容量はいずれも1Tbitである。WD-キオクシア連合とMicron、SK hynixはQLC(4bit/セル)技術の導入、Samsungは220層を超える高層化によって記憶密度を高めた
