3D NANDフラッシュメモリの高密度化手法。高層化を主力に、多値化を組み合わせる。CMOS周辺回路と3次元メモリセルアレイの積層は採用済みで、周辺回路のどこまでを積層するかで違いがある。メモリホールのピッチ(横方向)を狭くする手法は補助的だが重要度は大きい
