Samsung、最大リード10.8GB/sのUFS 5.0フラッシュ

　Samsung Electronicsは6月23日、最大10.8GB/sの高速転送を実現する「UFS 5.0」対応フラッシュメモリを開発したと発表した。2026年第4四半期に最大容量1TBまでの複数のラインナップを量産する予定だとしている。

　今回開発したUFS 5.0対応フラッシュストレージは、最大シーケンシャルリード速度10.8GB/s、最大シーケンシャルライト速度9.5GB/sを発揮し、従来のUFS 4.1と比べて2倍以上の性能を実現。加えて、クロックゲーティングやマルチ電圧技術により、電力効率も40%以上改善しており、デバイスのバッテリ駆動時間延長にも寄与できるとする。

　また、パッケージサイズを7.5×13×0.9mmに抑え、従来から16.7%小型化した点も特徴。デバイス設計の柔軟性が上がるだけでなく、内部スペースを有効活用できるため、スマートフォンやウェアラブル、XRデバイスなど幅広い用途に対応できる。