SK hynix、第5世代10nmプロセス採用のDDR5を互換性検証開始。6.4Gbps対応

　SK hynixは30日(韓国時間)、第5世代の10nmプロセスルールに基づく“1bnm”で製造されたDDR5メモリを、IntelのXeon Scalableプラットフォーム向けメモリ検証プログラムに提供したと発表した。

　第4世代10nmプロセスの“1anm”に続くもので、DDR5メモリとしては世界最速を謳う6.4Gbpsを達成している。一方でHigh-Kメタルゲートの採用により、従来の1anmプロセスよりも消費電力を20%以上削減できたという。

　2023年後半にメモリ市場が回復基調に向かうと予想される中、同社は今回の新製品にも期待を寄せているほか、2024年前半にはLPDDR5TやHBM3Eといった新製品の投入も予定している。