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Intel、シリコンフォトニクス技術の研究成果を公開
2022年6月29日 14:45
Intelは28日(米国時間)、フォトニクス集積の研究における進捗を発表し、8波長分散帰還(DFB)レーザーアレイのデモを公開した。
同社のIntel Labsでは、AIやマシンラーニングなどといったネットワーク負荷の高いワークロードを想定し、データセンター内のコンピューティングシリコンとネットワーク全体をつなぐ通信帯域幅拡大に向けたフォトニクス集積の研究を進めており、大幅に前進したととしている。
電気インターコネクトの性能面での限界が近づく中、シリコン回路と光パスを同一パッケージ内に並べて実装し、電力効率向上と伝送距離拡大を図ったI/Oインターフェイスが期待されている。高密度波長分割多重化(DWDM)テクノロジーを使用することで、帯域幅を拡大するとともにフォトニクスチップの物理的サイズを大幅に縮小できるとされているが、均一の波長間隔と出力電力でDWDM光源を製造することが難しかった。
今回、同社の商用300mmハイブリッド・シリコン・フォトニクス・プラットフォームで設計および製造した8波長DFBレーザーアレイにより、±0.25dBの高い出力電力均一性と、±6.5%の波長間隔均一性を実現した。光インターコネクトにより、AIやマシンラーニングといった広帯域幅ワークロードにあわせたカスタムが行なえる。さらに、300mmシリコンウェハを製造するのと同じリソグラフィ技術を採用することで、CMOSの大規模製造工場内で量産レーザーの製造容量を大幅に引き上げられるため、画期的な進歩だとしている。
